Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3453DV-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3453DV
SI3453DV-T1-GE3 Hakkında
SI3453DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 3.4A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montajlı paketlemede sunulmaktadır. 10V gate voltajında 165mOhm on-state direnci ve 6.8nC gate yükü özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve 3W maksimum güç dağıtımı kapasitesi bulunmaktadır. Düşük güçlü anahtarlama devreleri, load switching, motor kontrol ve power management uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 155 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok