Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3451DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3451DV
SI3451DV-T1-GE3 Hakkında
SI3451DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ile çalışan bu bileşen, 2.8A sürekli drenaj akımına sahiptir. SOT-23-6 yüzey montajlı paketinde sunulan SI3451DV, düşük gate şarjı (5.1 nC @ 5V) ve 115mΩ RDS(on) değeri ile sürücü devrelerinde, güç anahtarlama uygulamalarında ve gömülü sistemlerde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, 1.25W güç tüketimiyle enerji verimliliğini destekler. Obsolete durumda olup, yeni tasarımlarda alternatif bileşen seçilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok