Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3451DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3451DV
SI3451DV-T1-E3 Hakkında
SI3451DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 2.8A sürekli drain akımı özelliğine sahiptir. 115mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sunar. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, batarya koruma sistemleri ve düşük güçlü DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. ±12V gate gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında operasyon yapabilir. Düşük gate charge (5.1nC @ 5V) hızlı anahtarlama için uygun bir tasarımdır. Üretim durumu itibariyle obsolete kısmındadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok