Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3447DV

P-CHANNEL MOSFET

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3447

SI3447DV Hakkında

SI3447DV, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 5.5A sürekli dren akımı, 20V drain-source gerilimi ve 33mΩ maximum on-resistance ile düşük güç kaybında çalışabilir. Gate charge 30nC ve 1926pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar. Mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, LED sürücüleri ve batarya şarj uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1926 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok