Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3447CDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3447CDV

SI3447CDV-T1-GE3 Hakkında

SI3447CDV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajında 7.8A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 36mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Gate charge değeri 30nC'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, batarya kontrol sistemleri ve düşük voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 2W (Ta) güç tüketimi ile enerji verimli tasarımlar sağlar. Bileşen şu anda üretim dışıdır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6.3A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok