Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3447CDV-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3447CDV

SI3447CDV-T1-E3 Hakkında

SI3447CDV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 12V drain-source gerilimi (Vdss) ile 7.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 36mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar. 4.5V drive voltajında optimize edilmiştir. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montajlı paketinde sunulur. Anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve düşük voltajlı kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 30nC gate charge ve 910pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon özellikleri sunar. Not: Bu ürün obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 910 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 6.3A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok