Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3447BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4.5A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3447BDV
SI3447BDV-T1-GE3 Hakkında
SI3447BDV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. Maksimum 12V Drain-Source gerilimi ile 4.5A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. RDS(on) değeri 4.5V gate geriliminde 40mOhm olup, 1.8V ve 4.5V drive voltajlarında çalışabilmektedir. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montajlı paket tipinde sunulur. -55°C ile +150°C arasında işletim sıcaklığı aralığında çalışan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devresi ve düşük sinyal seviyesi kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Gate charge değeri 14nC @4.5V olup, hızlı anahtarlama özellikleri sunar. Maksimum güç dağıtımı 1.1W'tır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok