Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3445DV-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3445DV
SI3445DV-T1-E3 Hakkında
SI3445DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source gerilimi ile düşük gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 5.6A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde yer alır. 42mOhm on-resistance değeri ile verimli enerji transferini destekler. ±8V kapı gerilimi aralığında çalışabilir. Surface mount SOT-23-6 paket türüne sahiptir. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır ve 2W maksimum güç dağıtabilir. Mobil cihazlar, batarya yönetim sistemleri ve düşük gerilim DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılır. Ürün artık üretim dışıdır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok