Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3445DV

P-CHANNEL MOSFET

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3445

SI3445DV Hakkında

SI3445DV, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 20V drain-source gerilimi ve 5.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 33mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen SI3445DV, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve düşük gerilim devrelerinde tercih edilir. 30nC gate charge ve 1926pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1926 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok