Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3445ADV-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 4.4A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3445ADV
SI3445ADV-T1-GE3 Hakkında
SI3445ADV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 8V drain-source voltaj ve 4.4A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 42mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır. 1.1W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Düşük gate charge (19nC) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok