Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3443DV

MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3443

SI3443DV Hakkında

SI3443DV, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 4A sürekli drain akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. SuperSOT-6 (SOT-23-6) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 65mOhm RDS(on) değeri ile düşük voltaj düşüşü sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan SI3443DV, mobil cihazlar, batarya yönetim sistemleri, güç dağıtım modülleri ve switch-mode güç kaynakları gibi kompakt tasarımlarda tercih edilir. 10nC gate charge ve 640pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlamayı destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok