Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3443DV

MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3443

SI3443DV Hakkında

SI3443DV, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 4.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile hafif ve orta güç uygulamalarında kullanılır. 65mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. SOT-23-6 (TSOT-23-6) paket formatında sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1079 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Supplier Device Package Micro6™(TSOP-6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok