Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3443DV

MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3443

SI3443DV Hakkında

SI3443DV, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 4.4A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-6 (Micro6) yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. 65mΩ tipik Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç denetimi devreleri ve yük anahtarlaması gibi pek çok elektronik tasarımda kullanılır. Ciss değeri 1079pF ve Qg değeri 15nC olarak belirtilmiştir. Not: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1079 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4.4A, 4.5V
Supplier Device Package Micro6™(TSOP-6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok