Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3443CDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3443CDV

SI3443CDV-T1-GE3 Hakkında

SI3443CDV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim (Vdss) ve 5.97A sürekli dren akımı (Id) özelliklerine sahiptir. 60mOhm RDS(on) değeri ile düşük açılış direnci sağlar. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 12.4nC gate charge ve 610pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Power management, DC-DC dönüştürücü, batarya yönetimi ve düşük voltajlı anahtar uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.97A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok