Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3442CDV-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3442CDV

SI3442CDV-T1-GE3 Hakkında

Vishay tarafından üretilen SI3442CDV-T1-GE3, 20V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. SOT-23-6 paketinde sunulan bu transistör, 27mOhm tipik on-state direncine (RDS(on)) ve düşük gate charge (14nC) değerine sahiptir. İleri anahtarlama hızı, düşük güç kaybı ve kompakt tasarımı nedeniyle güç yönetimi devrelerinde, motor sürücülerinde, LED uygulamalarında ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 335 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok