Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3442BDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3442
SI3442BDV-T1-GE3 Hakkında
SI3442BDV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 3A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 57mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23-6 (TSOP-6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, kontrol devreleri, USB arayüzleri, batarya yönetimi ve küçük motor sürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında güvenli çalışır. 860mW maksimum güç tüketimi ile termal yönetimi kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 295 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 860mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok