Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3442BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3442BDV
SI3442BDV-T1-E3 Hakkında
SI3442BDV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 57mΩ maksimum RDS(on) değeri sayesinde düşük iletim kaybı sağlar. SOT-23-6 (TSOP-6) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 860mW maksimum güç tüketimi ile mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, anahtar uygulamaları ve küçük sinyal kuvvetlendirme devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 1.8V eşik gerilimi ile düşük voltaj uygulamalarına uyum sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 295 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 860mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 57mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok