Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3441DV

P-CHANNEL MOSFET

Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3441

SI3441DV Hakkında

SI3441DV, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 20V drain-source voltajında 3.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 80mOhm maksimum gate-source direnç değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. Maksimum 800mW güç dağıtımı kabiliyeti ve 10nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 779 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.5A, 4.5V
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok