Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3441BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.45A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3441BDV
SI3441BDV-T1-E3 Hakkında
SI3441BDV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. Maksimum 20V Drain-Source gerilimi ve 2.45A sürekli drenaj akımı ile çalışır. 6TSOP (SOT-23-6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate geriliminde 90mOhm on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Maksimum 860mW güç tüketimi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Gate charge değeri 8nC olup hızlı komütasyon özelliği sunar. Elektronik anahtarlar, güç denetim devreleri ve sinyal anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.45A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 860mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 3.3A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok