Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3440DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3440DV
SI3440DV-T1-GE3 Hakkında
SI3440DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 1.2A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, SOT-23-6 Surface Mount paketinde sunulur. 375mΩ tipik on-resistance (10V, 1.5A) ve 8nC gate charge özelliğiyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. ±20V gate gerilim aralığı ve -55°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklığı, geniş endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılabilirliğini sağlar. Motor kontrolü, güç yönetimi, anahtarlama güç kaynakları ve genel dijital lojik sürücü uygulamalarında tercih edilen bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.14W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 375mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok