Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3440DV-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3440DV
SI3440DV-T1-E3 Hakkında
SI3440DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 150V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun olan bu bileşen, 1.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 375mΩ maksimum on-direnci (10V gate geriliminde, 1.5A akımda) ile düşük güç kaybı sağlar. 6V ile tamamen kapanabilen ve ±20V gate gerilim toleransına sahip transistör, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzeye montajlı paket ile kompakt tasarımlar için idealdir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 1.14W maksimum güç dağılımı kapasitesine ve 8nC gate charge'a sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.14W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 375mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok