Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3437DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3437DV

SI3437DV-T1-GE3 Hakkında

SI3437DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 1.4A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 750mΩ maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Düşük gate yükü (19nC) ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve analog anahtarlama devrelerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 1.4A, 10V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok