Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3437DV-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3437DV

SI3437DV-T1-E3 Hakkında

SI3437DV-T1-E3, Vishay üretimi P-Channel MOSFET transistördür. 150V Drain-Source voltaj kapasitesine sahip bu transistör, 1.4A sürekli dren akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 6TSOP (SOT-23-6) paketinde sunulan bileşen, düşük RDS(on) değeri (750mΩ @ 10V) sayesinde güç kaybını minimize eder. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate kontrolü 4V eşik voltajı ile sağlanır. Endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, anahtarlama kaynakları ve kıyafet elektronikleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 1.4A, 10V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok