Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3434DV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3434DV
SI3434DV-T1-E3 Hakkında
SI3434DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 4.6A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 6TSOP (SOT-23-6) yüzey montajlı paket ile kompakt uygulamalar için uygun bir çözüm sunar. 34mΩ on-direnci ve 12nC gate charge'ı ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC konvertörleri ve genel transistör uygulamalarında kullanılır. Lojik seviye sürücü ile uyumlu ±12V gate gerilim aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.14W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 6.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 600mV @ 1mA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok