Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3433BDV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3433
SI3433BDV-T1-E3 Hakkında
Vishay SI3433BDV-T1-E3, P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source voltaj desteği ve 4.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile analog ve dijital anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6-pin SOT-23 (TSOT-23-6) yüzey montajlı paketlemesinde sunulan bu komponent, düşük 42mOhm RDS(on) değeri ile verimli güç iletimi sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen SI3433, pil yönetimi, güç denetimi, motor kontrolü ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. ±8V maksimum gate voltajı ile korumalı tasarıma sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok