Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3430DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3430DV
SI3430DV-T1-GE3 Hakkında
SI3430DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 1.8A sürekli dren akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 170mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. SOT-23-6 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 6.6nC gate charge ile hızlı komütasyon sağlar. 10V ve 6V drive voltage seçenekleriyle farklı kontrol devrelerine uyarlanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.14W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok