Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3430DV-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3430DV
SI3430DV-T1-E3 Hakkında
SI3430DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 1.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 170mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 6.6nC gate charge karakteristiği ile hızlı anahtarlama özellikleri vardır. SOT-23-6 yüzey montajlı pakete sahip olup gürültü filtreleri, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.14W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok