Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3430DV-T1-BE3
MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3430DV
SI3430DV-T1-BE3 Hakkında
SI3430DV-T1-BE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim, 1.8A sürekli drain akımı ve 170mOhm (10V, 2.4A koşullarında) RDS(on) değerine sahiptir. 6TSOP (SOT-23-6) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük gate charge (8.2nC @ 10V) karakteristiğine ve geniş çalışma sıcaklık aralığına (-55°C ~ 150°C) sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.14W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok