Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3429EDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3429EDV
SI3429EDV-T1-GE3 Hakkında
SI3429EDV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, 4.5V gate geriliminde 21mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve düşük kapı yükü (118nC @ 10V) ile karakterize edilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve transistör çıkışlı lojik devrelerinde kullanılır. 4.2W maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4085 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok