Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3424DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 5A 6TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3424DV

SI3424DV-T1-GE3 Hakkında

Vishay SI3424DV-T1-GE3, 30V drain-source gerilim ile çalışan N-Channel MOSFET transistörüdür. 5A sürekli drain akımı kapasitesi ve 28mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. 10V gate sürücü geriliminde optimal performans gösterir. SOT-23-6 (TSOP-6) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon sağlar. 1.14W maksimum güç dağıtımı ile kompakt tasarımlarda entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6.7A, 10V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok