Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3424DV-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
SI3424DV

SI3424DV-T1-E3 Hakkında

SI3424DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj ve 5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve sinyal kontrol uygulamalarında kullanılır. SOT-23-6 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar gerektiren elektronik devrelerde entegre edilebilir. 28mOhm ile düşük on-dirençine (RDS(on)) sahip olan bu MOSFET, 10V gate voltajında optimal performans gösterir. DC/DC dönüştürücüler, motor kontrolörleri, LED sürücüler ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde uygulanabilir. Kayan kapı yükü (Qg) 18nC @ 10V'da hızlı anahtarlama operasyonlarını destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28mOhm @ 6.7A, 10V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok