Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3424BDV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3424BDV
SI3424BDV-T1-GE3 Hakkında
SI3424BDV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır. 28mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol devreleri, güç yönetimi, LED sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ortamlar için uygunluğunu gösterir. ±20V gate gerilim toleransı ve düşük gate charge (19.6nC) hızlı anahtarlama işlemleri mümkün kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 735 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 2.98W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok