Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3417DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3417DV
SI3417DV-T1-GE3 Hakkında
SI3417DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 8A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (25.2mOhm) ile verimli anahtarlama ve güç uygulamalarında kullanılır. 6-TSOP (SOT-23-6) yüzey montajlı pakette sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol, batarya yönetim sistemleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25.2mOhm @ 7.3A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok