Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3410DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3410DV
SI3410DV-T1-GE3 Hakkında
SI3410DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-dirençe (19.5mOhm @ 5A, 10V) ve kompakt 6-TSOP paketlemede sunulur. ±20V gate-source gerilimi aralığında çalışan transistör, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. Surface mount teknolojisi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1295 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 4.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok