Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3410DV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3410DV
SI3410DV-T1-E3 Hakkında
SI3410DV-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 8A sürekli drain akımı ile çalışmak üzere tasarlanmıştır. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, düşük gate charge (33 nC @ 10V) ve 19.5mOhm RDS(on) değerleri ile elektrik geçişim uygulamalarında kullanılır. Motor sürücüleri, güç kaynakları, LED kontrolü ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1295 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 4.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok