Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3407DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3407DV
SI3407DV-T1-GE3 Hakkında
SI3407DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.5V kapı geriliminde 24mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. SOT-23-6 Thin paket formatında sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 63nC gate charge ve 1670pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliğine katkı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 4.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok