Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3407DV-T1-BE3
MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3407DV
SI3407DV-T1-BE3 Hakkında
SI3407DV-T1-BE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 7.5A/8A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montaj paketi içinde sunulur. 24mOhm on-state direnci, düşük kapı yükü (63nC @ 10V) ve compact tasarımı ile power management, anahtarlama ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. 4.5V gate drive voltajında tam iletim karakteristiği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Ta), 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok