Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3129DV-T1-GE3
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3129DV
SI3129DV-T1-GE3 Hakkında
SI3129DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj desteği ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 3.8A (Ta) veya 5.4A (Tc) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Surface mount SOT-23-6 paketinde sunulan bu komponent, düşük on-dirençle (82.7mOhm @ 10V) hızlı anahtarlama ve verimli güç yönetimi sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C) kararlı performans gösterir. Motor kontrol devreleri, güç kaynakları, yükseltici (boost) dönüştürücüler ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Ta), 5.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 805 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82.7mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok