Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI3127DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI3127DV
SI3127DV-T1-GE3 Hakkında
SI3127DV-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj desteği ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 3.5A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 13A pik drenaj akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 89mOhm (4.5V, 1.5A) on-resistance ile anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. SOT-23-6 yüzey monte paketi sayesinde kompakt PCB tasarımlarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrolü ve anahtarlama düzenleyicilerinde kullanım için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta), 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 833 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 89mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok