Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI3099-TP

N-CHANNEL MOSFET,SOT-23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SI3099

SI3099-TP Hakkında

SI3099-TP, Micro Commercial Components tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source gerilimi ve 1.1A sürekli dren akımı özelliğine sahiptir. 1.5V gate-threshold gerilimi ile düşük gerilim uygulamalarında kullanılabilir. Gate charge değeri 1.72 nC ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Maksimum 830mW güç tüketimi ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesinde yer alabilir. Anahtarlama devreleri, motor kontrol, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.1A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 61 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 830mW
Supplier Device Package SOT-23
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok