Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2399DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2399DS
SI2399DS-T1-GE3 Hakkında
SI2399DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj, 6A kontinyu dren akımı ve 34mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. ±12V gate voltajı aralığında çalışır ve 1.5V threshold voltajına sahiptir. Kompakt SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında işletilir. Anahtarlama uygulamaları, yük kontrolü, güç yönetimi ve portatif elektronik cihazlarda kullanılan tercih edilen bir transistördür. 2.5W maksimum güç saçma kapasitesiyle konservatif tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 835 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 5.1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok