Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2392DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2392DS
SI2392DS-T1-GE3 Hakkında
SI2392DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 3.1A sürekli drain akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 126mOhm (10V, 2A'da) düşük on-direnç değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23 yüzey monte paketi küçük PCB alanında kullanım imkanı tanır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, aydınlatma kontrol devreleri, motor sürücüler, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynağı uygulamalarında tercih edilir. 10.4nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 196 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 126mOhm @ 2A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok