Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2387DS-T1-GE3
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2387DS
SI2387DS-T1-GE3 Hakkında
SI2387DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. -80V drain-source gerilim kapasitesi ile güç anahtarlama ve sinyal kontrol uygulamalarında kullanılır. 2.1A sürekli dren akımı, 164mΩ maksimum Rds(on) değeri ve SOT-23 compact paketinde sunulur. Düşük güç tüketimi gerektiren switchmode güç kaynakları, batarya yönetimi devreleri, ses sistemleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta), 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 395 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 164mOhm @ 2.1A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok