Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2377EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2377EDS
SI2377EDS-T1-GE3 Hakkında
SI2377EDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 4.4A sürekli dren akımı kapasitesiyle çalışır. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket içinde sunulur. 61mOhm maksimum on-direnç değeri ve düşük gate charge özelliği ile anahtarlama uygulamalarında hızlı yanıt sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 1.25W güç tüketim sınırlaması vardır. Güç yönetimi, batarya koruma devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve ses amplifikatörü gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 8 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 1.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok