Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI2374DS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
SI2374DS

SI2374DS-T1-GE3 Hakkında

SI2374DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi ve 4.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük gücün uygulanması gereken devrelerde kullanılır. 30mΩ maksimum Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SOT-23 yüzeye monte paketi ile küçük alanlara yerleştirilebilir. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 735 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok