Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2372DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4A/5.3A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2372DS
SI2372DS-T1-GE3 Hakkında
SI2372DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 4A (25°C'de Ta), 5.3A (Tc'de) sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V Vgs'de 33mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. 8.9nC gate charge ve 288pF input capacitance özellikleri hızlı komütasyon sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paket içinde sunulur. Düşük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta), 5.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 288 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok