Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2371EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2371EDS
SI2371EDS-T1-GE3 Hakkında
SI2371EDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 4.8A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük gücü ve kompakt boyutu ile portatif cihazlar, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve batarya koruma sistemlerinde kullanılır. 45mΩ maksimum RdsOn değeri ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 3.7A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok