Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2369DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2369DS
SI2369DS-T1-GE3 Hakkında
SI2369DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 7.6A sürekli drain akımı ile çalışır. TO-236 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük Rds On direnci (29mOhm @ 10V) sayesinde güç uygulamalarında kaybı azaltır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 2.5W güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve batarya kontrol sistemlerinde kullanılır. 36nC gate charge ile hızlı anahtarlama yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1295 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 5.4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok