Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2369BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2369BDS
SI2369BDS-T1-GE3 Hakkında
SI2369BDS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim kapasitesi ile 5.6A (Ta) / 7.5A (Tc) sürekli dren akımı sağlar. 27mOhm (10V, 5A) düşük RDS(on) değeri ve SOT-23-3 kompakt paketlemesi sayesinde güç yönetimi, batarya koruma devreleri, anahtarlama uygulamaları ve düşük güç harcaması gerektiren mobil cihazlarda yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, 19.5nC gate charge ile hızlı anahtarlamaya uygundir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.6A (Ta), 7.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 745 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +16V, -20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok