Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI2367DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23-3
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI2367DS
SI2367DS-T1-GE3 Hakkında
SI2367DS-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj desteği ile düşük güçlü elektronik devrelerde anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 3.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile LED sürücüleri, güç kaynakları, batarya yönetim sistemleri ve analog switches gibi uygulamalarda tercih edilir. SOT-23-3 yüzey montajlı pakette sunulan bileşen, düşük RDS(on) değeri (66mOhm @ 4.5V) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arası geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 561 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 960mW (Ta), 1.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok